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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-67 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.86 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 350 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 18 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2353_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon NPN Triple Diffused Type |
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| 2SD2354 | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
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| 2SD2355 | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
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| 2SD2356 | PANASONIC |
获取价格 |
TRANSISTORS(SELECTION GIUDE BY APPLICATIONS AND FUNCTIONS) |
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| 2SD2357 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
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| 2SD2357 | TYSEMI |
获取价格 |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector power dissipation PC. |
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| 2SD2357 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
|
| 2SD2357H | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD2357TX | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD2358 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
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