2SD2357H

更新时间： 2024-11-06 13:04:23

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	39K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SD2357H 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SD2357H 数据手册

Transistor

2SD2357

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency amplification

Complementary to 2SB1537

Unit: mm

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Large collector power dissipation P_C.

45°

Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the maga-

zine packing.

0.4±0.08

0.4±0.04

0.5±0.08

1.5±0.1

3.0±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

marking

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–62

Mini Power Type Package

1.2

I_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

Marking symbol : 1M

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 7V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

I_C= 10µA, I_E= 0

I_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

V_CE= 2V, I_C= 100mA^**

I_C= 500mA, I_B= 5mA

V_CB= 5V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 5V, I_E= 0, f = 1MHz

200

800

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.15

MHz

Transition frequency

f_T

120

Collector output capacitance

C_ob

^**Pulse measurement

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2357TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2358	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SD2358-SZ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2359	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD2359	KEXIN	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SD2359	TYSEMI	获取价格	Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Mini Power type package, allowing downs
2SD2359H	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2359TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD235G	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
2SD2360	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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