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2SD1766

更新时间： 2024-01-15 17:38:38

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永而佳 - WINNERJOIN		晶体晶体管
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描述
TRANSISTOR (NPN)

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2SD1766 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1766 数据手册

RoHS

2SD1766

SOT-89

1. ^BASE

2SD1766 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

Power dissipation

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

P_CM:

0.5

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=50µA, I_E=0

Ic=1mA, I_B=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=50µA, I_C=0

µA

V_CB=20V, I_E=0

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=4V, I_C=0

_CE=3V, I_C=500mA

I_C=2A, I_B=0.2A

h_FE(1)

DC current gain

390

0.8

V_CE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

MHz

f_T

V_CE=5V, I_C=50mA, f=100MHz

100

C_ob

Collector output capacitance

_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

82-180

120-270

DBQ

180-390

Marking

DBP

DBR

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1766_09	ROHM	获取价格	Medium power transistor (32V, 2A)
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2SD1766_15	WINNERJOIN	获取价格	NPN TRANSISTOR
2SD1766P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 32V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SC-62
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2SD1766Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 32V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SC-62
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