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2SD1766_09

更新时间： 2024-02-28 08:09:14

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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4页	171K
描述
Medium power transistor (32V, 2A)

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2SD1766_09 数据手册

Medium power transistor (32V, 2A)

2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Low V^CE(sat).

V^CE(sat)= 0.5V (Typ.)

(I^C/IB = 2A / 0.2A)

2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240

2SD1766

2SD1758

0.2

4.5

+0.2

−

0.1

2.3

6.5 0.2

−0.1

0.2

1.5

C0.5

1.6 0.1

−

0.1

+0.2

5.1

0.5 0.1

−0.1

(1) (2) (3)

0.65 0.1

0.1

0.75

0.4

Structure

−

0.05

0.9

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

Epitaxial planar type NPN silicon transistor

0.55 0.1

1.0 0.2

2.3 0.2 2.3 0.2

(1) (2) (3)

Abbreviated symbol : DB∗

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

2SD1862

2.5 0.2

6.8 0.2

0.65Max.

0.5 0.1

(1) (2)

2.54

(3)

2.54

1.05

0.45 0.1

ROHM : ATV

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

∗ Denotes hFE

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

A (DC)

A (Pulse)

Collector current

∗1

2.5

0.5

2SD1766

Collector

∗2

∗3

power

dissipation

2SD1758

2SD1862

W (TC=25°C)

°C

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

−55~+150

∗1 Single pulse, PW=20ms

∗2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.

∗3 Printed circuit board: 1.7 mm thick, collector copper plating 1 cm²or lager.

www.rohm.com

2009.12 - Rev.B

1/3

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