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2SD1766P

更新时间： 2024-11-19 23:20:27

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其他 - ETC		晶体晶体管开关
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3页	81K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 32V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SC-62

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2SD1766P 数据手册

2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862

Transistors

Medium power transistor (32V, 2A)

2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862

!External dimensions (Units : mm)

!Features

1) Low V^CE(sat).

2SD1766

2SD1758

V^CE(sat)= 0.5V (Typ.)

(I^C/I^B= 2A / 0.2A)

0.2

4.5

+0.2

−

0.1

2.3

6.5 0.2

−0.1

0.2

1.5

C0.5

1.6 0.1

−

0.1

+0.2

5.1

0.5 0.1

−0.1

2) Complements the 2SB1188 /

2SB1182 / 2SB1240

(1) (2) (3)

0.65 0.1

0.1

0.75

0.4

−

0.05

0.9

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

0.55 0.1

1.0 0.2

2.3 0.2 2.3 0.2

(1) (2) (3)

!Structure

Abbreviated symbol : DB∗

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

2SD1862

2.5 0.2

6.8 0.2

0.65Max.

0.5 0.1

(1) (2)

2.54

(3)

2.54

1.05

0.45 0.1

ROHM : ATV

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

∗ Denotes hFE

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

A (DC)

A (Pulse)

Collector current

2.5

∗1

∗2

0.5

2SD1766

Collector

power

2SD1758

2SD1862

W (TC=25°C)

dissipation

°C

∗3

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

−55~+150

∗1 Single pulse, P

∗2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.

∗3 Printed circuit board: 1.7 mm thick, collector copper plating 1 cm²or lager.

W=20ms

12 3

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