Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1766T100PQ

2SD1766T100PQ

更新时间： 2024-11-05 13:01:35

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	171K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SD1766T100PQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	82
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	2 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.8 V	Base Number Matches：	1

2SD1766T100PQ 数据手册

Medium power transistor (32V, 2A)

2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Low V^CE(sat).

V^CE(sat)= 0.5V (Typ.)

(I^C/IB = 2A / 0.2A)

2) Complements the 2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240

2SD1766

2SD1758

0.2

4.5

+0.2

−

0.1

2.3

6.5 0.2

−0.1

0.2

1.5

C0.5

1.6 0.1

−

0.1

+0.2

5.1

0.5 0.1

−0.1

(1) (2) (3)

0.65 0.1

0.1

0.75

0.4

Structure

−

0.05

0.9

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

Epitaxial planar type NPN silicon transistor

0.55 0.1

1.0 0.2

2.3 0.2 2.3 0.2

(1) (2) (3)

Abbreviated symbol : DB∗

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

2SD1862

2.5 0.2

6.8 0.2

0.65Max.

0.5 0.1

(1) (2)

2.54

(3)

2.54

1.05

0.45 0.1

ROHM : ATV

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

∗ Denotes hFE

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

A (DC)

A (Pulse)

Collector current

∗1

2.5

0.5

2SD1766

Collector

∗2

∗3

power

dissipation

2SD1758

2SD1862

W (TC=25°C)

°C

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

−55~+150

∗1 Single pulse, PW=20ms

∗2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.

∗3 Printed circuit board: 1.7 mm thick, collector copper plating 1 cm²or lager.

www.rohm.com

2009.12 - Rev.B

1/3

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1766T100PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1766T100Q	ROHM	获取价格	Medium power transistor (32V, 2A)
2SD1766T100QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1766T100R	ROHM	获取价格	2000mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN
2SD1766T101	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1766T101/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1766T101/PQ	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1766T101/PR	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1766T101/QR	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD1766T101Q	ROHM	获取价格	2000mA, 32V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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