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2SD1767T100/P PDF预览

2SD1767T100/P

更新时间： 2024-01-13 21:19:37
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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2SD1767T100/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.4
外壳连接：COLLECTOR配置：SINGLE
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SD1767T100/P 数据手册

 浏览型号2SD1767T100/P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1767T100/P的Datasheet PDF文件第3页 
2SD1767 / 2SD1859  
Transistors  
Medium power transistor (80V, 0.7A)  
2SD1767 / 2SD1859  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) High breakdown voltage, BVCEO=80V, and  
high current, IC=0.7A.  
2SD1767  
4.0  
1.0  
2.5  
0.5  
2) Complements the 2SB1189 / 2SB1238.  
( )  
1
(
)
2
3
(
)
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
80  
80  
5
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
I
C
0.7  
1
A(DC)  
A(Pulse)  
Collector current  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
∗1  
I
CP  
0.5  
2
2SD1767  
2SD1859  
Collector power  
dissipation  
P
C
∗2  
∗3  
W
1
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 Pw=10ms, duty=1/2  
Tj  
150  
°C  
°C  
2SD1859  
Tstg  
−55 to +150  
2.5  
6.8  
∗2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.  
∗3 Printed circuit board 1.7 mm thick, collector plating 1cm2 or larger.  
0.65Max.  
zPackaging specifications and hFE  
0.5  
Type  
2SD1767  
2SD1859  
ATV  
QR  
(
1
)
( ) ( )  
2 3  
Package  
MPT3  
hFE  
PQR  
2.54 2.54  
1.05  
0.45  
Marking  
Code  
DC  
−
TV2  
∗
T100  
1000  
Taping specifications  
Basic ordering unit (pieces)  
Denotes hFE  
2500  
ROHM : ATV  
(1) Emitter  
∗
(2) Collector  
(3) Base  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
80  
80  
5
Typ.  
−
−
−
−
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
I
I
I
C
=50µA  
=2mA  
V
C
−
V
E
=50µA  
CB=50V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
120  
−
0.5  
0.5  
0.4  
390  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
0.2  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C/I  
B
=500mA/50mA  
h
−
120  
10  
−
MHz  
V
V
V
CE/IC=3V/0.1A  
CE=10V, I  
CB=10V, I  
f
T
E
E
=−50mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Transition frequency  
Cob  
−
−
pF  
Output capacitance  
Rev.A  
1/2  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1767T100/PQ ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD1767T100/PR ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD1767T100/QR ROHM

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 		Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SD1767T100/R ROHM

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 		700mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-62, 3 PIN
2SD1767T100P ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62,
2SD1767T100R ROHM

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