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2SD1767

更新时间： 2024-01-27 20:37:05

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描述
High breakdown voltage, BVCEO=80V, and high current, IC=0.7A.

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2SD1767 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1767 数据手册

SMD Type

Product specification

2SD1767

Features

High breakdown voltage, BV^CEO=80V, and

high current, I^C=0.7A.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

Rating

Unit

VCEO

V^EBO

I^C

0.7

Collector current

I^C(Pulse) *¹

P^C

0.5

Collector power dissipation

P^C

T^j

T^stg

Junction temperature

Storage temperature

150

-55 to +150

*1. Pw=10ms.

*2. 40X40X0.7mm Ceramic board.

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

BV^CBOI^C=50ìA

BV^CEOI^C=2mA

BV^EBOI^E=50ìA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

I^CBO

I^EBO

V^CB=50V

V^EB=4V

0.5

0.4

390

ìA

Collector-emitter saturation voltage

Forward current transfer ratio

Transition frequency

V^CE(sat)I^C=500mA,I^B=50mA

h^FEV^CE=3V,I^C=0.1A

f^T

0.2

V^CE=10V, I^E= -50mA, f=100MHz

V^CB=10V, I^E=0A, f=1MHz

120

MHz

Output capacitance

C^ob

hFE Classification

Marking

Rank

h^FE

82 180

120 270

180 390

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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