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2SD1766-R

更新时间： 2022-02-26 12:01:26
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
3页 711K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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2SD1766-R 数据手册

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M C C  
R
2SD1766-P  
2SD1766-Q  
2SD1766-R  
Micro Commercial Components  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
·
·
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
Complements to 2SB1188  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
NPN  
Plastic-Encapsulate  
ꢀ
Transistors  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Maximum Ratings  
SOT-89  
Symbol  
VCEO  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Rating  
32  
40  
Unit  
V
V
VCBO  
VEBO  
5.0  
V
A
K
B
IC  
Collector Current  
1.0  
A
PC  
TJ  
TSTG  
Collector dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
500  
-55 to +150  
-55 to +150  
mW  
OC  
OC  
E
C
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
D
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
G
H
OFF CHARACTERISTICS  
J
F
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50µAdc, IE=0)  
40  
32  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =1.0mAdc)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =50µAdc, IC=0)  
E
1
2
3
Collector Cutoff Current  
(VCB=20Vdc,IE=0)  
1.0  
1.0  
µAdc  
µAdc  
1. Base  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
2. Collector  
3. Emitter  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain  
(I =500mAdc, VCE=3.0Vdc)  
C
82  
---  
390  
---  
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1.55  
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ꢉꢆ  
ꢖ
ꢍꢎꢏꢐꢆ  
ꢍꢎꢑꢎꢆ  
VCE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
0.8  
Vdc  
.061  
ꢇꢇꢇꢇꢇ  
REF.  
ꢆ
(IC=2.0Adc, I B=0.2Adc)  
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢙꢆ  
ꢝꢆ  
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ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢆ
ꢆ
fT  
Gain-Bandwidth product  
(VCE=5V, IC=50mA, f=100MHz )  
Out Capacitance  
---  
---  
100  
---  
---  
MHz  
pF  
ꢌꢛꢜꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Cob  
30  
(VCB=10V, f=1.0MHz,IE=0)  
 ꢆ  
hFE[1] CLASSIFICATION  
Rank  
P
Q
R
Range  
82-180  
120-270  
DBQ  
180-390  
DBR  
Marking  
DBP  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2016/05/06  
123

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与2SD1766-R相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SD1766T100 ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SD1766T100/P ROHM 暂无描述

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