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2SD1766

更新时间: 2024-02-22 20:08:19
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金誉半导体 - HTSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 725K
描述
TRANSISTOR (NPN)

2SD1766 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.63
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD1766 数据手册

 浏览型号2SD1766的Datasheet PDF文件第2页 
2SD1766  
TRANSISTOR (NPN)  
FEATURES  
SOT-89  
1. BASE  
z
Low VCE(sat).VCE(sat)=0.16V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A)  
Complements to 2SB1188  
z
MAXIMUM RATINGS (TA=25unless otherwise noted)  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
1
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current -Continuous  
Collector dissipation  
Value  
Units  
2
40  
V
3
32  
V
5
V
2
A
PC  
500  
150  
-55-150  
mW  
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
40  
32  
5
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
V(BR)CBO IC=50μA, IE=0  
V(BR)CEO IC=1mA, IB=0  
V(BR)EBO IE=50μA, IC=0  
V
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
V
ICBO  
IEBO  
VCB=20V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
1
1
μA  
μA  
DC current gain  
hFE(1)  
VCE(sat)  
fT  
VCE=3V, IC=500mA  
82  
390  
0.8  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
IC=2A, IB=0.2A  
V
VCE=5V, IC=50mA, f=100MHz  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
100  
30  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Rank  
P
Q
R
82-180  
120-270  
DBQ  
180-390  
Range  
Marking  
DBP  
DBR  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  

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