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2SD1119GQ

更新时间： 2024-09-16 20:56:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	236K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN

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2SD1119GQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	230
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1119GQ 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SD1119

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Unit: mm

4.5 0.1

1.6 0.2

1.5 0.1

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-

voltage power supply.

• Mini power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

0.4 0.08

1.5 ^0.1

0.5 0.08

0.4 0.04

3˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

45˚

3.0 0.15

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

1: Base

2: Collector

3: Emitter

MiniP3-F1 Package

Peak collector current

I_CP

Marking Symbol: T

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

Note) : Printed circuit board: Copper foil area of 1 cm²or more, and the

board thickness of 1.7 mm for the collector portion

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

Conditions

I_C= 1 mA, I_B= 0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

V_EBO

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 10 V, I_E= 0

V_CE= 2 V, I_C= 0.5 A

V_CE= 2 V, I_C= 2 A

I_CBO

0.1

µA



Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

230

150

600

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= 3 A, I_B= 0.1 A

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= 6 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

230 to 380

340 to 600

Publication date: November 2002

SJC00207CED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1119G-Q	PANASONIC	获取价格	3000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN
2SD1119GR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
2SD1119G-R	PANASONIC	获取价格	3000mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN
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