生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.82 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 3 A |
集电极-发射极最大电压: | 25 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 180 | JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SD1119-HF_15 | KEXIN |
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NPN Transistors | |
2SD1119Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89 | |
2SD1119-Q | KEXIN |
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NPN Transistors | |
2SD1119-Q-HF | KEXIN |
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NPN Transistors | |
2SD1119R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89 | |
2SD1119-R | KEXIN |
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NPN Transistors | |
2SD1119-R-HF | KEXIN |
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NPN Transistors | |
2SD1126 | RENESAS |
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Silicon NPN Triple Diffused | |
2SD1126 | HITACHI |
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Silicon NPN Triple Diffused | |
2SD1126 | ISC |
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Silicon NPN Darlington Power Transistor |