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2SD1133

更新时间: 2024-11-26 22:45:07
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 35K
描述
Silicon NPN Triple Diffused

2SD1133 数据手册

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2SD1133, 2SD1134  
Silicon NPN Triple Diffused  
Application  
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858  
Outline  
TO-220AB  
1. Base  
2. Collector  
(Flange)  
3. Emitter  
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Ratings  
Item  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
2SD1133  
2SD1134  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
70  
70  
50  
60  
V
5
5
V
4
4
A
Collector peak current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Note: 1. Value at TC = 25°C.  
IC(peak)  
PC*1  
Tj  
8
8
A
40  
40  
W
°C  
°C  
150  
150  
Tstg  
–45 to +150  
–45 to +150  

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