是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | TO-220AB, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.39 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 4 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 60 |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 10 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SD1135C | RENESAS |
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4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | |
2SD1135C-E | RENESAS |
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4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | |
2SD1136 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD1136 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD1137 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD1137 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD1137 | RENESAS |
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Silicon NPN Triple Diffused | |
2SD1137 | HITACHI |
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Silicon NPN Triple Diffused | |
2SD1137-E | RENESAS |
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暂无描述 | |
2SD1138 | HITACHI |
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Silicon NPN Triple Diffused |