2SD1136

更新时间： 2024-11-24 06:24:51

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3页	65K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1136 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD1136 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1136

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High collector-base breakdown voltage

: V_CBO=200V(min)

APPLICATIONS

·For power switching and TV vertical

deflection output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

200

Open collector

I_CM

Collector current-Peak

T_a=25℃

T_C=25℃

1.8

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-45~150

℃

T_stg

12 3

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