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2SD1138

更新时间： 2024-11-27 06:16:19
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
7页 142K
描述
Silicon NPN Triple Diffused

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2SD1138 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.39
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD1138 数据手册

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To all our customers  
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi  
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.  
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas  
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog  
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)  
Accordingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand  
names are mentioned in the document, these names have in fact all been changed to Renesas  
Technology Corp. Thank you for your understanding. Except for our corporate trademark, logo and  
corporate statement, no changes whatsoever have been made to the contents of the document, and  
these changes do not constitute any alteration to the contents of the document itself.  
Renesas Technology Home Page: http://www.renesas.com  
Renesas Technology Corp.  
Customer Support Dept.  
April 1, 2003  
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 		暂无描述
2SD1138D HITACHI

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