是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SC-46, 3 PIN | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.37 | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 4 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 15 |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 8 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
KSC5338D | ONSEMI |
功能相似 |
NPN型三重扩散平面硅晶体管 | |
MJE18006 | ONSEMI |
功能相似 |
POWER TRANSISTOR | |
MJF18004 | ONSEMI |
功能相似 |
POWER TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SD526O | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB | |
2SD526-O | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, SC-46, 3 PIN, BIP General Purpo | |
2SD526R | MOSPEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB | |
2SD526-R | TOSHIBA |
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暂无描述 | |
2SD526Y | MOSPEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB | |
2SD526-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, SC-46, 3 PIN, BIP General Purpo | |
2SD531 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD531 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD536 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SD536 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |