5秒后页面跳转
2SD526 PDF预览

2SD526

更新时间: 2024-11-25 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 功率放大器
页数 文件大小 规格书
2页 168K
描述
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SD526 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SC-46, 3 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.37外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8 MHz
Base Number Matches:1

2SD526 数据手册

 浏览型号2SD526的Datasheet PDF文件第2页 

2SD526 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSC5338D ONSEMI

功能相似

NPN型三重扩散平面硅晶体管
MJE18006 ONSEMI

功能相似

POWER TRANSISTOR
MJF18004 ONSEMI

功能相似

POWER TRANSISTOR

与2SD526相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD526O ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SD526-O TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, SC-46, 3 PIN, BIP General Purpo
2SD526R MOSPEC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SD526-R TOSHIBA

获取价格

暂无描述
2SD526Y MOSPEC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB
2SD526-Y TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, SC-46, 3 PIN, BIP General Purpo
2SD531 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD531 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD536 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD536 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors