2SD553

更新时间： 2024-11-28 07:31:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	148K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD553 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

2SD553 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD553

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB553

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·High current switching applications

·Power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_B

Base current

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

1.5

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-50~150

℃

T_stg

12 3 4

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