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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Lifetime Buy |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.81 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD553Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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| 2SD553-Y | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SD555 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD555 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD555 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SD555Q | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SD555R | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SD555S | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2SD557 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD560 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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