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2SD536

更新时间： 2024-11-28 05:57:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	153K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD536 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD536

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage,high speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Switching regulators

·DC-DC converters

·General purpose power amplifiers

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

200

UNIT

Open base

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3

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