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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | SC-46, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8 MHz | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD526R | MOSPEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
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| 2SD526-R | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SD526Y | MOSPEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
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| 2SD526-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, SC-46, 3 PIN, BIP General Purpo |
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| 2SD531 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD531 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD536 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD536 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD545 | SANYO |
获取价格 |
FOR AUDIO FREQUENCY POWER AMP, CONVERTERS, ELECTRONIC GOVERNORS |
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| 2SD545D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-92 |
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