2SD1135

更新时间： 2024-09-16 07:31:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	98K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1135 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD1135 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1135

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB859

APPLICATIONS

·For low frequency power amplifier

applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

100

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-45~150

T_stg

12 3 4

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