2SD1126

更新时间： 2024-11-24 06:17:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	228K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD1126 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SD1126 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1126

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V(Min)

·High DC Current Gain

: h_FE= 1000(Min) @I_C= 5A

·Low Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Designed for power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

120

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD1126K	RENESAS	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused
2SD1127	ISC	获取价格	Silicon NPN Darlington Power Transistor
2SD1127	HITACHI	获取价格	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED POWER SWITCHING
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2SD1127K	HITACHI	获取价格
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