2SD1127

更新时间： 2024-09-16 06:20:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	223K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD1127 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

2SD1127 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1127

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 120V(Min)

·High DC Current Gain

: h_FE= 1000(Min) @I_C= 10A

·Low Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Designed for power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

120

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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