2SD1133

更新时间： 2024-09-16 05:57:47

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描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SD1133 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD1133 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1133

DESCRIPTION

·Collector Current: I_C= 4A

·Low Collector Saturation Voltage

: V_CE(sat)= 1.0V(Max)@I_C= 2A

·High Collector Power Dissipation

·Complement to Type 2SB857

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Total Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-45~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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