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2SD0958(2SD958)

更新时间: 2024-11-19 23:20:23
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页数 文件大小 规格书
3页 182K
描述
小信号デバイス - 小信号トランジスタ - 汎用低周波増幅

2SD0958(2SD958) 数据手册

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トランジスタ  
2SD0958 (2SD958)  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
高耐圧雑音増幅用  
Unit : mm  
2.5 0.1  
2SB0788 (2SB788)とコンプリメンタリ  
6.9 0.1  
(1.5)  
(1.0)  
(1.5)  
特ꢀ長  
R 0.9  
コレクミッタ間電圧(B開放時)VCEO が高い  
雑音電NVが低い  
R 0.7  
M型パッケージで自動挿入挿入が容易P板に自立固  
定で  
きる  
(0.85)  
0.45 0.05  
絶対最大定格 Ta = 25°C  
0.55 0.1  
項目  
記号  
定格  
120  
120  
7
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
エミッース間電圧(C 開放時) VEBO  
3
2
1
V
(2.5) (2.5)  
1 : Base  
V
2 : Collector  
3 : Emitter  
M-A1 Package  
コレクタ電流  
尖頭コレクタ電流  
コレクタ損失  
合温度  
IC  
ICP  
PC  
Tj  
20  
mA  
mA  
mW  
50  
400  
150  
°C  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +150  
°C  
電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
条件  
最小 標準 最大  
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時)  
コレクミッタ間電圧(B開放時)  
エミッース間電圧(C 開放時)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 1 mA, IB = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VCE = 5 V, IC = 2 mA  
120  
120  
7
V
V
コレクース間遮断電流(E 開放時) ICBO  
100  
1
nA  
µA  
コレクミッタ間遮断電流(B開放時)  
ICEO  
hFE  
*
流電流増幅率  
180  
700  
コレクミッタ間飽和電圧  
トランジション周 波数  
雑音電圧  
VCE(sat) IC = 20 mA, IB = 2 mA  
0.6  
V
fT  
VCB = 5 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz  
200  
MHz  
mV  
NV  
VCE = 40 V, IC = 1 mA, GV = 80 dB  
150  
Rg = 100 k, Function = FLAT  
) 1. 測定方法は本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。  
2. : ランク分類  
*
ランク  
R
S
T
hFE  
180 360  
260 520  
360 700  
) 形名の( ), 従来品  
番です  
発行年月 : 200211月  
SJC00199BJD  
1

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