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2SD0966(2SD966)

更新时间: 2024-09-30 23:20:23
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3页 176K
描述
小信号デバイス - 小信号トランジスタ - その他

2SD0966(2SD966) 数据手册

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トランジスタ  
2SD0966 (2SD966)  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
低周 波電力増幅用  
ストロボ用  
Unit : mm  
5.9 0.2  
4.9 0.2  
特ꢀ長  
コレクミッタ間飽和電圧 VCE(sat)が低い  
高効率で低電圧電での動作特性がよい  
0.7 0.1  
絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
40  
20  
7
単位  
V
コレクース間電圧(E 開放時) VCBO  
コレクミッタ間電圧(B開放時) VCEO  
エミッース間電圧(C 開放時) VEBO  
+0.2  
–0.1  
0.45  
+0.2  
–0.1  
0.45  
(1.27)  
V
(1.27)  
1 : Emitter  
2 : Collector  
3 : Base  
V
1
2 3  
コレクタ電流  
尖頭コレクタ電流  
コレクタ損失  
合温度  
IC  
ICP  
PC  
Tj  
5
A
EIAJ : SC-51  
2.54 0.15  
8
A
TO-92L-A1 Package  
1
W
150  
°C  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +150  
°C  
電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
条件  
最小 標準 最大  
単位  
V
コレクミッタ間電圧(B開放時)  
エミッース間電圧(C 開放時)  
VCEO  
VEBO  
IC = 1 mA, IB = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
VCB = 10 V, IE = 0  
VEB = 7 V, IC = 0  
20  
7
V
コレクース間遮断電流(E 開放時) ICBO  
エミッース間遮断電流(C 開放時) IEBO  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
1
2
*
*
流電流増幅率  
hFE1  
hFE  
VCE(sat) IC = 3 A, IB = 0.1 A  
VCE = 2 V, IC = 0.5 A  
180  
600  
VCE = 2 V, IC = 2 A  
150  
1
*
コレクミッタ間飽和電圧  
トランジション周 波数  
1
V
MHz  
pF  
fT  
VCB = 6 V, IE = −50 mA, f = 200 MHz  
VCB = 20 V, IE = 0, f = 1 MHz  
150  
コレクタ出力容量(入力開放時)  
Cob  
50  
) 1. 測定方法は本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。  
2. 1 : パルス測定  
*
2 : ランク分類  
*
ランク  
P
Q
R
hFE1  
180 270  
230 380  
340 600  
) 形名の( ), 従来品  
番です  
発行年月 : 20034月  
SJC00201BJD  
1

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