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2SD0973/2SD0973A(2SD973/2SD973A)

更新时间： 2024-11-17 23:20:23
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 75K
描述
2SD0973. 2SD0973A (2SD973. 2SD973A) - NPN Transistor

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Transistor  
2SD0973, 2SD0973A (2SD973, 2SD973A)  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency power amplification  
Unit: mm  
6.9 0.1  
2.5 0.1  
1.0  
1.5  
1.5 R0.9  
Features  
I
G
R0.9  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
G
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
R0.7  
0.85  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
0.55 0.1  
0.45 0.05  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SD0973  
2SD0973A  
2SD0973  
30  
VCBO  
V
3
2
1
base voltage  
Collector to  
60  
25  
VCEO  
V
emitter voltage 2SD0973A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
50  
2.5  
2.5  
VEBO  
ICP  
5
V
A
1:Base  
1.5  
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
IC  
1
A
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = 20V, IE = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
0.1  
µA  
Collector to base  
voltage  
2SD0973  
2SD0973A  
30  
60  
25  
50  
5
VCBO  
IC = 10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter 2SD0973  
VCEO  
VEBO  
IC = 2mA, IB = 0  
V
V
voltage  
2SD0973A  
Emitter to base voltage  
IE = 10µA, IC = 0  
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = 10V, IC = 500mA*2  
85  
50  
160  
100  
0.2  
340  
Forward current transfer ratio  
VCE = 5V, IC = 1A*2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = 500mA, IB = 50mA*2  
IC = 500mA, IB = 50mA*2  
0.4  
1.2  
V
V
0.85  
200  
11  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0. f = 1MHz  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
20  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
FE1  
Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional  
part number.  
85 ~ 170  
120 ~ 240  
170 ~ 340  
1
1234

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与2SD0973/2SD0973A(2SD973/2SD973A)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD0973A PANASONIC

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 		For Low-Frequency Driver Amplification
2SD0973A(2SD973A) ETC

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 		Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SD0973AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-71
2SD0973AR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-71
2SD0973AS ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-71
2SD0973Q ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-71
2SD0973R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-71
2SD0973S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-71
2SD1000 TYSEMI

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 		World standard miniature package:SOT-89. Low collector saturation voltage.
2SD1000 NEC

获取价格

 		NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

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