2SD0966

更新时间： 2024-11-17 21:55:15

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For Low-Frequency Amplification

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2SD0966 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

2SD0966 数据手册

Transistors

2SD0966 (2SD966)

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency amplification

For stroboscope

Unit: mm

5.9 0.2

4.9 0.2

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Satisfactory operation performances at high efficiency with the low-

voltage power supply.

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

+0.2

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

0.45

+0.2

–0.1

0.45

–0.1

(1.27)

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

EIAJ : SC-51

TO-92L-A1 Package

2.54 0.15

Peak collector current

I_CP

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 10 V, I_E= 0

V_EB= 7 V, I_C= 0

V_CE= 2 V, I_C= 0.5 A

V_CE= 2 V, I_C= 2 A

0.1

600

µA



I_EBO

Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE

180

150

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= 3 A, I_B= 0.1 A

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= 6 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

180 to 270

230 to 380

340 to 600

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: April 2003

SJC00201BED

12 3

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