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2SD0968GR

更新时间： 2024-11-18 19:50:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	208K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN

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2SD0968GR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

2SD0968GR 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SD0968G

Silicon NPN epitaxial planar type

For low-frequency driver amplification

Complementary to 2SB0789G

■ Features

■ Package

•

(Base open) V

• High

Code

collector-emitter voltage

CEO

• Large collector power dissipation P_C

• Mini power type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine packing

MiniP3-F2

Pin Name

1: Base

•

2: Collector

3: Emitter

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Symbol

Rating

Unit

■ Marking Symbol: V

120

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

0.5

Peak collector current

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

°C

150

T_stg

−55 to +150

Note) : Print circuit board: Copper foil area of 1 cm²or more, and the board

thickness of 1.7 mm for the collector portion.

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

Conditions

I_C= 100 µA, I_B= 0

Min

120

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*1

V_EBO

I_E= 10 µA, I_C= 0

h_FE1

V_CE= 10 V, I_C= 150 mA

V_CE= 5 V, I_C= 500 mA

130

330

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage ^*1

Base-emitter saturation voltage ^*1

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

V_BE(sat)I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

0.2

0.85

120

0.6

1.20

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

130 to 220

185 to 330

Publication date: October 2007

SJD00338AED

12 3 4

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