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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC3704
2SC3704 PDF预览

2SC3704

更新时间： 2024-09-17 22:52:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification)

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2SC3704 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.08 A
基于收集器的最大容量：1.2 pF集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6000 MHzBase Number Matches：1

2SC3704 数据手册

 浏览型号2SC3704的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SC3704  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For UHF band low-noise amplification  
Unit: mm  
2.8 –+00..32  
0.65±0.15  
1.5 –+00..0255  
0.65±0.15  
Features  
Low noise figure NF.  
■
●
●
High gain.  
High transition frequency fT.  
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
2
●
3
●
0.1 to 0.3  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
0.4±0.2  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
15  
10  
V
1:Bae  
JEDEC:TO–236  
EIAJ:SC–59  
Mini Type Package  
2
80  
V
2:Emitter  
3:Collector  
mA  
mW  
˚C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
200  
Marking symbol :2W  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
1
Unit  
µA  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = 15V, IE = 0  
IEBO  
hFE1  
hFE2  
fT  
VEB = 1V, IC = 0  
1
µA  
VCE = 8V, IC = 20mA  
50  
80  
150  
300  
280  
Forward current transfer ratio  
VCE = 1V, IC = 3mA  
Transition frequency  
VCE = 8V, IC = 20mA, f = 0.8GHz  
VCE = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
VCE = 8V, IC = 7mA, f = 800MHz  
VCE = 8V, IC = 20mA, f = 800MHz  
VCE = 8V, IC = 20mA, f = 800MHz  
6
GHz  
pF  
Collector output capacitance  
Noise figure  
Cob  
0.7  
1.0  
14  
13  
1.2  
1.7  
NF  
dB  
Maximum unilateral power gain  
Foward transfer gain  
GUM  
dB  
2
| S21e  
|
dB  
1
12

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