5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3709A_04 | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Current Switching Applications |
|
| 2SC3709AO | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SC3709A-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-10R1A, 3 PIN, BIP General P |
|
| 2SC3709AY | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SC3709A-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
High-Current Switching Applications |
|
| 2SC3709O | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC3709Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 12 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| 2SC3709Y | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SC3710 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Transistors |
|
| 2SC3710 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
