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2SC3720

更新时间： 2024-02-27 16:42:00

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	423K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC3720 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
Base Number Matches：	1

2SC3720 数据手册

Product Specification

Silicon NPN Power Transistor

2SC3720

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 800V (Min)

·High Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for high speed switching and horizontal deflection

output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

1200

800

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

200

175

-65~175

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

Website：www.jmnic.com

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