2SC3709A-Y

更新时间： 2024-01-29 15:54:02

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东芝 - TOSHIBA		开关
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High-Current Switching Applications

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2SC3709A-Y 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	12 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3709A-Y 数据手册

2SC3709A

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

2SC3709A

High-Current Switching Applications

Unit: mm

•

Low collector saturation voltage: V

= 0.4 V (max)

CE (sat)

High-speed switching: t

= 1.0 μs (typ.)

stg

Complementary to 2SA1451A

Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

JEDEC

―

Junction temperature

Storage temperature range

150

°C

JEITA

stg

−55 to 150

TOSHIBA

2-10R1A

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

Weight: 1.7 g (typ.)

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are

within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

2006-11-10

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