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2SC3719

更新时间： 2024-01-19 20:59:40

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	64K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC3719 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SC3719 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3719

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 800V (Min)

·High Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for high speed switching and horizontal deflection

output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

MAX

UNIT

1200

800

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

150

175

-65~175

℃

T_j

Junction Temperature

T_stg

Storage Temperature Range

isc Website：www.iscsemi.cn

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