2SC3709O

更新时间： 2024-11-18 13:04:15

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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2SC3709O 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3709

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.4V(Max)@I_C= 6A

·Good Linearity of h_FE

·High Switching Speed

·Complement to Type 2SA1451

APPLICATIONS

·Designed for high current switching applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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