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2SC372

更新时间: 2024-02-07 09:17:49
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1页 117K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-98VAR

2SC372 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.54
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):70
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):80 MHz
Base Number Matches:1

2SC372 数据手册

  

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,