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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3705 | SANYO |
当前型号 |
Printer Driver Applications |
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| 2SC3705 | ONSEMI |
功能相似  |
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,1.2A I(C),TO-126 |
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC3705-CD | ONSEMI | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SC3705-LS | ONSEMI | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SC3705-RA | ONSEMI | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SC3705-SA | ONSEMI | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SC3705-YA | ONSEMI | Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plasti |
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| 2SC3707 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF amplification) |
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