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2SC3707

更新时间： 2024-01-25 01:02:25

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1页	71K
描述
Possible with the small current and low voltage High transition frequency fT

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2SC3707 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	0.01 A	集电极-发射极最大电压：	7 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC3707 数据手册

SSSSMMMMDDDD TTTTyyyyppppeee

TTrraannssiissttIIooCCrrss

Product specification

2SC3707

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Possible with the small current and low voltage

High transition frequency fT

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

-0.1

1.9

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic

insertion through the tape packing and the magazine packing

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

I^EBO

h^FE

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

ìA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Forward current transfer ratio

Transition frequency

V^CB= 10 V, I^E= 0

V^EB= 1.5 V, I^C= 0

V^CE= 1 V, I^C= 1 mA

ìA

150

f^T

V^CE= 1 V, I^C= 1 mA, f = 0.8 GHz

V^CB= 1 V, I^E= 0, f = 1 MHz

GHz

Collector output capacitance

Forward transfer gain

Maximum unilateral power gain

Noise figure

C^ob

0.4

6.0

|S^21e|²

G^UM

V^CE= 1 V, I^C= 1 mA, f = 0.8 GHz

3.5

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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