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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.62 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3356-S-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356S-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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| 2SC3356S-G | COMCHIP |
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General Purpose Transistor |
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| 2SC3356S-T1B | NEC |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC3356S-T1B-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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| 2SC3356SW | BL Galaxy Electrical |
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12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| 2SC3356T | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
12V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor |
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| 2SC3356-T1 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356-T1B | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356-T1B | RENESAS |
获取价格 |
NPN Silicon RF Transistor |
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