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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.56 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 7000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3356R23 | RENESAS |
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UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3 |
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| 2SC3356R23 | NEC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
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| 2SC3356-R23 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356-R23 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SC3356-R23-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356-R23-HF | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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| 2SC3356R23-T1B | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| 2SC3356R23-T1B-A | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346 |
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| 2SC3356R24 | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
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| 2SC3356-R24 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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