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2SC3356-R

更新时间: 2024-11-13 07:13:31
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 152K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

2SC3356-R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.62其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):7000 MHzBase Number Matches:1

2SC3356-R 数据手册

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