2SC3356S

更新时间： 2024-09-24 23:20:15

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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8页	103K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-346

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2SC3356S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz

2SC3356S 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC3356

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SC3356 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low

noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.

(Units: mm)

2.8±0.2

1.5

It has dynamic range and good current characteristic.

+0.1

−0.15

0.65

FEATURES

•

Low Noise and High Gain

NF = 1.1 dB TYP., G^a= 11 dB TYP. @V^CE= 10 V, I^C= 7 mA, f = 1.0 GHz

High Power Gain

•

MAG = 13 dB TYP. @V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1.0 GHz

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Marking

3.0

100

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

200

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

T^j

150

T^stg

65 to +150

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

TEST CONDITIONS

V^CB= 10 V, I^E= 0

I^CBO

1.0

300

I^EBO

V^EB= 1.0 V, I^C= 0

h^FE*

120

V^CE= 10 V, I^C= 20 mA

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

Gain Bandwidth Product

Feed-Back Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

f^T

GHz

C^re**

0.55

11.5

1.1

1.0

2.0

S²¹e

V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1.0 GHz

V^CE= 10 V, I^C= 7 mA, f = 1.0 GHz

Pulse Measurement PW 350 s, Duty Cycle 2 %

** The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal capacitance bridge.

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

R23/Q *

R23

R24/R *

R24

R25/S *

R25

50 to 100

80 to 160

125 to 250

* Old Specification / New Specification

Document No. P10356EJ5V1DS00 (5th edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1985

12 3 4 5 6 7 8

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与2SC3356S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3356-S	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-S-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356S-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SC3356S-G	COMCHIP	获取价格	General Purpose Transistor
2SC3356S-T1B	NEC	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3
2SC3356S-T1B-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-346
2SC3356SW	BL Galaxy Electrical	获取价格	12V,0.1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
2SC3356T	BL Galaxy Electrical	获取价格	12V,0.1A,General Purpose Dual NPN Bipolar Transistor
2SC3356-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC3356-T1B	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic

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