2SC3355-K

更新时间： 2024-11-13 13:01:43

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日电电子 - NEC		晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	103K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92, PA33, SC-43B, 3 PIN

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2SC3355-K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PA33, SC-43B, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC3355-K 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC3355

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION

The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise

amplifier at VHF, UHF and CATV band.

PACKAGE DIMENSIONS

in millimeters (inches)

5.2 MAX.

(0.204 MAX.)

It has lange dynamic range and good current characteristic.

FEATURES

•

Low Noise and High Gain

NF = 1.1 dB TYP., G^a= 8.0 dB TYP. @V^CE= 10 V, I^C= 7 mA, f = 1.0 GHz

NF = 1.1 dB TYP., G^a= 9.0 dB TYP. @V^CE= 10 V, I^C= 40 mA, f = 1.0 GHz

High Power Gain

•

0.5

(0.02)

MAG = 11 dB TYP. @V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1.0 GHz

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 C)

1.27

(0.05)

2.54

(0.1)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

3.0

100

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

600

T^j

150

1. Base

2. Emitter

EIAJ : SC-43B

JEDEC: TO-92

3. Collector IEC

T^stg

65 to +150

: PA33

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25 C)

CHARACTERISTIC

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

TEST CONDITIONS

V^CB= 10 V, I^E= 0

I^CBO

1.0

300

I^EBO

V^EB= 1.0 V, I^C= 0

h^FE

120

6.5

V^CE= 10 V, I^C= 20 mA

Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

Insertion Power Gain

Noise Figure

f^T

GHz

V^CE= 10 V, I^C= 20 mA

C^ob

0.65

9.5

1.0

3.0

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1.0 MHz

V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1.0 GHz

V^CE= 10 V, I^C= 7 mA, f = 1.0 GHz

V^CE= 10 V, I^C= 40 mA, f = 1.0 GHz

S^21e

1.1

Noise Figure

1.8

h^FEClassification

Class

Marking

h^FE

50 to 300

Document No. P10355EJ3V1DS00 (3rd edition)

Date Published March 1997 N

Printed in Japan

1985

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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