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2SB905

更新时间: 2024-11-21 22:22:23
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
3页 173K
描述
TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SB905 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzBase Number Matches:1

2SB905 数据手册

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BJT