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2SB906

更新时间: 2024-11-25 22:22:23
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东芝 - TOSHIBA 晶体小信号双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
3页 153K
描述
TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SB906 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.41
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):20 W表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):9 MHzVCEsat-Max:1.7 V
Base Number Matches:1

2SB906 数据手册

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