2SB831BCTR

更新时间： 2024-11-08 13:04:15

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瑞萨 - RENESAS		光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	161K
描述
700mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3

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2SB831BCTR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	350 MHz	Base Number Matches：	1

2SB831BCTR 数据手册

2SB831

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0653-0200

(Previous ADE-208-1033)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency amplifier

Complementary pair with 2SD1101

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

–25

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

–20

–5

–0.7

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

–1

150

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB831BCUL	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3
2SB831C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| SOT-143RVAR
2SB831-C	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB833	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-3
2SB834	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB834	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
2SB834	TGS	获取价格	It is intented for use in power amplifier and switching applications.
2SB834	WINNERJOIN	获取价格	TRANSISTOR (PNP)
2SB834	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(3.0A,60V,30W)
2SB834	Wing Shing	获取价格	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)