2SB831BB

更新时间： 2024-11-18 13:04:15

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瑞萨 - RENESAS		光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	161K
描述
700mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3

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2SB831BB 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB831BB 数据手册

2SB831

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0653-0200

(Previous ADE-208-1033)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency amplifier

Complementary pair with 2SD1101

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

–25

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

–20

–5

–0.7

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

–1

150

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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