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2SB831BBTL-E

更新时间： 2024-11-20 06:19:15

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	161K
描述
Silicon PNP Epitaxial

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2SB831BBTL-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59A	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	85
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SB831BBTL-E 数据手册

2SB831

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0653-0200

(Previous ADE-208-1033)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency amplifier

Complementary pair with 2SD1101

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

–25

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

–20

–5

–0.7

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

–1

150

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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2SB831BBTR	RENESAS	获取价格	暂无描述
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2SB831BC	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SB831BCTL	RENESAS	获取价格	700mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SB831BCTL-E	RENESAS	获取价格	Silicon PNP Epitaxial
2SB831BCTR	RENESAS	获取价格	700mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SB831BCUL	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3
2SB831C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| SOT-143RVAR
2SB831-C	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR