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2SB831BCTL-E

更新时间： 2024-11-18 06:19:15

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	161K
描述
Silicon PNP Epitaxial

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2SB831BCTL-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59A	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.03
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	120
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SB831BCTL-E 数据手册

2SB831

Silicon PNP Epitaxial

REJ03G0653-0200

(Previous ADE-208-1033)

Rev.2.00

Aug.10.2005

Application

•

Low frequency amplifier

Complementary pair with 2SD1101

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Emitter

2. Base

3. Collector

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

Ratings

–25

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

–20

–5

–0.7

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

i_C(peak)

P_C

–1

150

°C

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5

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与2SB831BCTL-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB831BCTR	RENESAS	获取价格	700mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPAK-3
2SB831BCUL	HITACHI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MPAK-3
2SB831C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| SOT-143RVAR
2SB831-C	RENESAS	获取价格	SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB833	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-3
2SB834	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB834	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
2SB834	TGS	获取价格	It is intented for use in power amplifier and switching applications.
2SB834	WINNERJOIN	获取价格	TRANSISTOR (PNP)
2SB834	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(3.0A,60V,30W)