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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz | VCEsat-Max： | 0.35 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB811H | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB811J | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB811M | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB812 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB812 | ISC |
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isc Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SB815 | KEXIN |
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PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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| 2SB815 | SANYO |
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For General-Purpose AF Amplifier |
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| 2SB815 | TYSEMI |
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Ultrasmall package allows miniaturization in end products. low-saturation voltage. |
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| 2SB815 | ONSEMI |
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Bipolar Transistor |
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| 2SB8156 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-23 |
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